石英晶體有天然的也有人造的,是一種重要的壓電晶體材料,石英晶體本身并非振蕩器,它只有借助于有源激勵和無源電抗網絡方可產生振蕩,石英晶體振子是振蕩器中的重要元件,晶體的頻率(基頻或n次諧波頻率)及其溫度特性在很大程度上取決于其切割取向.石英晶體諧振器的基本結構(金屬殼)封裝及其等效電路.下面是一些石英晶振比較少見的的術語詞匯.

活性下降

一種不需要的石英晶振特性,表現出晶體電阻和諧振頻率的突然變化,然后同樣突然地回到先前的值.晶體驅動電平和負載電容對活性驟降有很大影響.

老化

石英晶體諧振器內部變化引起的頻率隨時間的系統變化.老化通常表示為每年百萬分之幾(ppm/年)的最大值.老化的速度本質上是對數的.以下因素影響晶體老化:諧振器表面污染物的吸附和解吸,安裝和粘接結構的應力釋放,材料除氣和密封完整性.

角

諧振器毛坯相對于主晶軸從石英材料切割的角度(以度,分和秒為單位).切割角度是控制石英晶體單元頻率與溫度性能的主要因素.

AT切割晶體單元

一種特殊類型石英晶體切割的分類.自動切割是當今最流行的切割類型,適用于兆赫范圍內的晶體單元.AT切割被分類為厚度剪切體聲波晶體單元,具有立方頻率對溫度的關系,拐點接近室溫.它因其出色的溫度頻率特性而廣受歡迎.

基地

底座通常被稱為支架或集管,是石英晶體單元封裝的子組件.

空白的

沒有支架或底座的半加工石英晶體諧振器.

BT切割晶體單元

一種特殊類型石英晶體切割的分類.BT切割以與at切割大致相反的角度進行處理,并被歸類為厚度剪切晶體單元,其具有拋物線頻率-溫度曲線,拐點接近室溫.因此,在給定的工作溫度范圍內,BT切割晶體將表現出比AT切割晶體更大的頻移.

電容比

晶體分流電容除以晶體運動電容.作為晶體負載電容給定變化的直接結果的并聯負載諧振頻率變化的指示器.在VCXO應用中,當頻率調制需要晶體并聯諧振頻率的變化時,可以指定電容比,符號“r”.當在物理石英晶體設計中實現時,該比值有局限性.

陶瓷封裝

通常被稱為頭部或無引線芯片載體(LCC),這是一種使用陶瓷作為主要封裝材料制造的表面貼裝晶體封裝.該封裝與金屬蓋或蓋子集成在一起,為石英晶體提供了一個氣密密封的外殼.

晶體切片

晶體坯板相對于石英棒的晶軸切割.晶體切割的類型影響晶體的老化頻率穩定性和其他參數.

晶體等效電路

晶體器件由鍍有金屬的石英諧振器毛坯組成.該鍍層位于貼片晶振的兩側,并連接到晶體封裝上的絕緣引線.該器件在兩個晶體電極之間表現出壓電響應,如由以下元件組成的晶體等效電路所示:運動電容,運動電感,運動電阻和分流電容.

晶體振蕩器

一種計時裝置,由石英晶體諧振器和振蕩器維持電路組成,集成在單個封裝中,提供特定參考頻率的輸出波形.這個術語通常縮寫為XO或SPXO(簡單封裝石英晶體振蕩器).

晶體單元

一種計時裝置,由石英晶體諧振器及其相關封裝組成.

驅動電平

流過晶振的驅動或激勵電流的函數,驅動電平是晶體中的功耗,以微瓦或毫瓦表示.最大驅動功率是器件在保證所有電氣參數的情況下仍能保持工作的最大功耗.驅動水平應保持在啟動正常啟動和確保穩態振蕩所需的最低水平.過高的驅動水平會導致老化特性不佳和晶體損壞.

等效串聯電阻

晶體器件的電阻元件,單位為歐姆.在晶體的串聯諧振頻率下,運動電感(L1)和運動電容(C1)具有相等的歐姆值,但相位正好相反.最終結果是它們相互抵消,只有一個電阻保留在等效電路的串聯支路中.ESR測量僅在串聯諧振頻率下進行,而不是在某個預定的并聯諧振頻率下進行.

彎曲振動

音叉晶體諧振器的一種振動模式,其中振動板的彎曲運動用作振蕩源.這種振動適用于低頻晶體器件.

頻率

以赫茲為單位,它是一個時間單位內事件的周期性重復.在電路中,它是共振板在一秒鐘內振蕩或振動的次數.

頻率穩定度

工作溫度范圍內與環境溫度頻率的頻率偏差量.該術語表示為最小和最大百分比(%)或百萬分之幾(ppm),由以下主要因素決定:石英切割類型和石英貼片晶振切割角度.一些次要因素包括:工作模式,負載電容和驅動水平.

頻率公差

通常稱為校準精度,它是指室溫(25℃)下與指定標稱頻率的頻率偏差量.該術語表示為最小和最大百分比(%)或百萬分之幾(ppm).

基本形式

共振板振動的第一和最低頻率順序由板的物理尺寸決定.

赫茲(赫茲)

頻率的基本測量單位.它是用來表示一秒鐘內一個事件完全發生的量度.晶體的頻率以兆赫(MHz)或千赫(kHz)為單位測量.

絕緣電阻

晶體引線之間以及晶體引線和基極之間的電阻,以最小值表示.

負載電容

呈現給晶體的電容,單位為皮法(pF).并聯負載諧振頻率是負載電容的函數.

運行方式

石英晶振被設計成在其基模或其泛音上振動.對于AT切割石英晶體,泛音模式為奇數頻率諧波.石英器件的工作模式是決定振蕩頻率的因素之一.

運動電容

晶體單元中的等效靜電電容分量.晶體的運動電容(C1)和運動電感(L1)以串聯諧振頻率(FS)諧振.C1的實際值在石英晶體設計中實現時有物理限制.這些限制包括操作模式,晶體切割,機械設計和標稱頻率.

運動電感

晶體單元中的等效電感元件.晶體的運動電感(L1)和運動電容(C1)以串聯諧振頻率(FS)諧振.L1的實際值在石英晶體設計中實現時有物理限制.這些限制包括操作模式,晶體切割,機械設計和標稱頻率.

標稱頻率

晶體的指定參考頻率或中心頻率,通常以兆赫(MHz)或千赫(kHz)表示.晶體設計和制造所需的頻率.

工作溫度范圍

設備在振蕩過程中可以承受的最低和最高溫度.在此溫度范圍內,所有設備規定的操作參數都得到保證.

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