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首頁 KDS晶振

1XXB30000MBA,DSB221SDN低電壓晶振,KDS移動電話晶振

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產品簡介

1XXB30000MBA,DSB221SDN低電壓晶振,KDS移動電話晶振，尺寸2.5x2.0mm，頻率30MHZ，日本進口晶振，大真空有源晶振，石英晶體振蕩器，TCXO溫補晶振，有源晶體振蕩器，溫度補償晶振，石英有源晶振，2016mm有源晶振，溫補石英晶振，貼片溫補振蕩器，低抖動溫補晶振，低電壓溫補晶振，低相位溫補晶振，低相噪溫補晶振，低耗能溫補晶振，高質量溫補晶振，移動電話溫補晶振，GPS全球定位系統晶振，測試設備有源晶振，空中雷達有源晶振，6G電信有源晶振，交換機有源晶振，網絡應用有源晶振，具有低耗能高質量的特點。

進口溫補晶振產品比較適合用于移動電話，GPS全球定位系統，測試設備，空中雷達，6G電信，交換機，網絡應用等應用。1XXB30000MBA,DSB221SDN低電壓晶振,KDS移動電話晶振.

產品詳情

Abracon-2

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1XXB30000MBA,DSB221SDN低電壓晶振,KDS移動電話晶振，尺寸2.5x2.0mm，頻率30MHZ，日本進口晶振，大真空有源晶振，石英晶體振蕩器，TCXO溫補晶振，有源晶體振蕩器，溫度補償晶振，石英有源晶振，2016mm有源晶振，溫補石英晶振，貼片溫補振蕩器，低抖動溫補晶振，低電壓溫補晶振，低相位溫補晶振，低相噪溫補晶振，低耗能溫補晶振，高質量溫補晶振，移動電話溫補晶振，GPS全球定位系統晶振，測試設備有源晶振，空中雷達有源晶振，6G電信有源晶振，交換機有源晶振，網絡應用有源晶振，具有低耗能高質量的特點。

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LH-2

1XXB30000MBA,DSB221SDN低電壓晶振,KDS移動電話晶振參數表

型號名稱 DSB221SDN (TCXO )
輸出頻率范圍 30MHz
標準頻率 16.3676 MHz/16.367667 MHz/16.368 MHz/16.369 MHz/16.8 MHz/26 MHz/33.6 MHz
電源電壓范圍 +1.68?+3.5V
電源電壓( Vcc ) +1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流 +1.5mA max.(f≦26MHz )/+2.0mA max.(26
輸出電壓 0.8Vp-p min.(f≦52MHz ) (削波正弦波/DC-coupled )
輸出負載 10kΩ//10pF
頻率穩定度 常溫偏差 ±1.5×10-6max.(After 2 reflows )
溫度特性 ±0.5×10-6±2.5×10-6max./-30?+85℃
±0.5×10-6±2.5×10-6max./-40?+85℃(Option )
電源電壓特性 ±0.2×10-6max.(V抄送±5% )
負荷變動特性 ±0.2×10-6max.(10kΩ//10pF±10% )
經時變化 ±1.0×10-6max./year
頻率控制 控制靈敏度 -
頻率控制極性 -
啟動時間 2.0ms max.。
相位噪聲
Offset 100Hz
Offset 1kHz
Offset 10kHz
Offset 100kHz 		[f≦26MHz]
-115dBc/Hz
-130dBc/Hz
-150dBc/Hz
-155dBc/Hz 		[26MHz
-110dBc/Hz
-130dBc/Hz
-150dBc/Hz
-155dBc/Hz 		[40MHz
-105dBc/Hz
-125dBc/Hz
-145dBc/Hz
-150dBc/Hz
包裝單位(1) 3000pcs./reel(φ180 )
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1XXB30000MBA,DSB221SDN低電壓晶振,KDS移動電話晶振 尺寸圖

DSA221SDN，DSB221SDN,DSB221SDNB.2520

1XXB30000MBA,DSB221SDN低電壓晶振,KDS移動電話晶振

7050晶振產品特點:

低電壓對應

低相位噪聲

單封裝結構

DSA1612SDN，DSA211SDN,DSA221SDN,DSA321SDN,DSB1612SDN,DSB211SDN,DSB221SDN,DSB321SDN

品牌 晶振廠家原廠代碼 型號 尺寸 頻率 負載/電壓
KDS晶振 1XSA050000AVW DSO751SV 7050 50.000M 3.3V
KDS晶振 ZC12456 DSB211SDN 2016 16.320M 3.3V
KDS晶振 1XXD16367MAA DSB211SDN 2016 16.367667M 3.3V
KDS晶振 1XXB16367MAA DSB221SDN 2520 16.367667M 2.8V
KDS晶振 1XXD24000MBA DSB211SDN 2016 24.000M
KDS晶振 1XXD26000MAA DSB211SDN 2016 26.000M
KDS晶振 1XXD38400MFA DSB211SDN 2016 38.400M
KDS晶振 1XXD40000PDA DSB211SDN 2016 40.000M
KDS晶振 1XXD32000PBA DSB211SDN 2016 32.000M
KDS晶振 1XXD52000PBA DSB211SDN 2016 52.000M
KDS晶振 ZC12467 DSA211SDN 2016 16.32M 3.3V
KDS晶振 7DF01920A09 DSA211SDN 2016 19.200M
KDS晶振 1XXC20000MAA DSA211SDN 2016 20.000M
KDS晶振 1XXB16369JFA DSB221SDN 2520 16.369M 3.3V
KDS晶振 1XXB24000MEA DSB221SDN 2520 24.000M
KDS晶振 1XXB25000PAA DSB221SDN 2520 25.000M
KDS晶振 1XXB26000MAA DSB221SDN 2520 26.000M
KDS晶振 1XXB30000MBA DSB221SDN 2520 30.000M
KDS晶振 1XXB32000PAA DSB221SDN 2520 32.000M
KDS晶振 7ED03360A00 DSB321SDN 3225 33.6M
KDS晶振 7ED01638A03 DSB321SDN 3225 16.384M
KDS晶振 1XSE022579ARC DSO321SR 3225 22.5792M
KDS晶振 1XTQ19200ELA DSA535SG 5032 19.200M
KDS晶振 1XXA26000FSB DSA221SCL 2520 26.000M
KDS晶振 1XXB38400MCB DSB221SDN 2520 38.4M 3.3V
KDS晶振 7EE05200A02 DSB221SDN 2520 52.000M
KDS晶振 1XXA10000MBA DSA221SDN 2520 10.000M 3.3V
KDS晶振 1XXA26000MAA DSA221SDN 2520 26.000M
KDS晶振 1XXA32000MBA DSA221SDN 2520 32.000M
KDS晶振 1XXA20000CAA DSA221SDN 2520 20.000M 3.3V
KDS晶振 1XTW16368FEA DSB321SCL 3225 16.368M 2.8V
KDS晶振 1XSE009600AV DSO321SV 3225 9.6M 3.3V

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