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當(dāng)選擇OCXO和其他頻率控制設(shè)備時，設(shè)計工程師必須考慮的權(quán)衡是功耗。由于它的內(nèi)部烤箱，標(biāo)準(zhǔn)ocxo是耗電設(shè)備相比xo時鐘晶體振蕩器、vcxo或tcxo。典型的ocxo在初始預(yù)熱階段可能需要2到4瓦的功率，但當(dāng)穩(wěn)定在+25°C時，可能會減少到0.7到1.5瓦(tcxo在10到100毫瓦范圍)。幸運的是，CTS提供了一種低功耗的OCXO，大大降低了功耗,而不是典型的OCXO。這些低功率ocxo(LPOCXO)通常在+25°C下吸取<0.15瓦特，同時仍然提供優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性、老化性能和噪聲性能。CTS的高精度,高性能的OCXO VFOV514-28DECHNT-10M000非常適合微波通信

智能網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品通過藍牙、有線以太網(wǎng)、Wi-Fi或其他連接協(xié)議與云端進行通信。由于涉及無線電和高速數(shù)據(jù)，因此需要ppm級的低抖動精確定時時鐘。Taitien的MHz產(chǎn)品系列包括各種類型的晶體單元，從簡單的手表晶體到用于工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用的高性能晶體。我們提供小至1.65x1.25mm的多種封裝尺寸，1612小體積晶振，頻率容差和溫度穩(wěn)定性達到5ppm，頻率從3.58MHz到80MHz以及滿足低老化和低相位噪聲等專業(yè)要求的型號。同時，我們還包括一個熱沖擊和振動版本，可在高達-40℃至125℃的擴展工作溫度范圍內(nèi)工作。此外，符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，3.58MHz至80MHz的寬頻率范圍，出色的頻率穩(wěn)定性低至±5ppm，寬溫度范圍，符合-40℃至+125℃的汽車要求。

MHz范圍晶體X3型，典型的1.65x1.25x0.3mm 超薄陶瓷封裝石英晶體，用于自動組裝的8毫米寬卷帶封裝，嚴格公差10ppm可用，超小型封裝和0.3毫米超薄，非常適合低電路板高度或超小型可穿戴應(yīng)用。

音叉晶體拋物線溫度曲線

由于其獨特的形狀，音叉晶體無法在寬溫度范圍內(nèi)提供高精度。它們的溫度精度可以繪制為隨溫度變化的拋物線曲線。該精度在室溫或大約 +25°C 下通常為 ±20ppm。這相當(dāng)于每天增加或減少 1.7 秒的時間或每年減少 10.34 分鐘。圖 1 顯示了在極端高溫和極端低溫下精度的下降。伊西斯的音叉晶體ECS-.327-12.5-16-TR為COTS,汽車提供理想解決方案

Silicon Labs的Si539x抖動衰減器在抖動性能和頻率靈活性方面處于業(yè)界領(lǐng)先地位。這些超低抖動時鐘旨在滿足互聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施的嚴格規(guī)范和高性能要求，可降低各種定時應(yīng)用的成本和復(fù)雜性。Si539x任意頻率抖動衰減時鐘可從任何輸入頻率產(chǎn)生任何輸出頻率組合，同時提供業(yè)界領(lǐng)先的抖動性能（90fs RMS相位抖動）。

Si5395/4/2P級器件為56G/112G SerDes時鐘應(yīng)用提供同類最佳的抖動（69fs RMS典型相位抖動）。

新的Si56x Ultra系列VCXO和XO系列是超低抖動振蕩器的下一代高性能定時應(yīng)用的理想選擇。Si56x VCXO/XO可針對高達3GHz的任何頻率進行定制，支持兩倍于之前Silicon Labs VCXO產(chǎn)品的工作頻率范圍，抖動僅為一半。

Si56x振蕩器提供工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5mmx7mm和3.2mmx5mm封裝的單，雙，四和I2C可編程選項，可實現(xiàn)與傳統(tǒng)XO，VCXO晶振和VCSO的兼容性。該系列器件的典型相位抖動低至90fs。

每個有源振蕩器都采用一種諧振或調(diào)諧電路，以及放大和反饋，以產(chǎn)生特定頻率的輸出。

可以在電感-電容 (LC) 或電阻-電容 (RC) 網(wǎng)絡(luò)上創(chuàng)建調(diào)諧電路，這兩種網(wǎng)絡(luò)都是簡單的組件，可以在很寬的范圍內(nèi)改變頻率。然而，創(chuàng)建精確的LC或RC振蕩器需要使用昂貴的精密元件；即便如此，它們也并不總能滿足大多數(shù)應(yīng)用所需的最高精度和穩(wěn)定性。百利通亞陶的WT3253F0026.000000振蕩器,具有高度準(zhǔn)確和穩(wěn)定的頻率

GPS時鐘模塊的典型應(yīng)用包括3G/4G LTE基站、時鐘服務(wù)器、時鐘源、IP回程、PTP服務(wù)器、雷達、智能電網(wǎng)和測試測量。

石英晶體和陶瓷諧振器具有直接的壓電特性。這意味著外加電場會產(chǎn)生晶體變形。相反，晶體的變形會在兩端產(chǎn)生電壓。一旦振蕩器啟動，振動晶體端子上的電壓變化就被用作時鐘信號。

振蕩器背后的原理是一個正反饋回路滿足巴克豪森條件:如果閉環(huán)增益大于統(tǒng)一且總相位滯后為360°，所得到的閉環(huán)系統(tǒng)是不穩(wěn)定的，并且會自增強。這是必要的，但不是振蕩存在的充分條件。當(dāng)滿足必要條件時，振蕩器中的任何擾動(噪聲)都會發(fā)生變化導(dǎo)致振蕩開始。滿足巴克豪森條件的頻率被放大得最大，因為它與原始信號。Silicon發(fā)布振蕩器501JCA24M0000CAFR被廣泛使用于物聯(lián)網(wǎng),5G通信領(lǐng)域

諧振器的設(shè)計很重要，但是包裝設(shè)備也很關(guān)鍵。石英晶體諧振器歷來依賴于密封的金屬和/或陶瓷包裝，以隔離和保護他們。與MEMS諧振器，需要真空封裝，以實現(xiàn)高品質(zhì)因素，封蓋和密封過程可以直接集成到制造過程中，產(chǎn)生高密度，晶圓級在批量包裝過程中，兩者都降低成本并提高可靠性。由此產(chǎn)生的晶圓級封裝也可用于廣泛的IC封裝陣列從陶瓷到全系列注塑封裝到芯片規(guī)模的封裝。mems振蕩器DSC1001DL1-024.0000T未來的主流,可針對性滿足高品質(zhì),低成本的優(yōu)點