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ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I738晶振

頻率：8-40.0MHZ

尺寸：3.2*2.5mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購(gòu)熱線：0755-29952551

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I738晶振，3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

牽引范圍（VCXO）：是針對(duì)VCXO壓控晶振的參數(shù)。帶有壓控功能的晶振為（VCXO），即通過調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率。32.768K晶振牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值。此值一般用ppm表示。通常牽引范圍大約為100 - 200ppm，取決于VCXO壓控晶振的結(jié)構(gòu)和所選擇的晶體。

ILSI晶振	單位	晶振參數(shù)	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8-40.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100 µW Max	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.0597lc.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF to 32pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

石英晶體振蕩器,SMD晶振,I738晶振

我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個(gè)方法：

調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率，反之亦然。石英晶體振蕩器,SMD晶振,I738晶振

可以采用不同負(fù)載電容（CL）的晶振試用。

試用晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。

請(qǐng)檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器，正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。石英晶體振蕩器,SMD晶振,I738晶振

頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。

下面的曲線表示石英晶體的電阻的特征：

有源晶振具有多種振動(dòng)模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí)，晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。

因此，如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí)，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I738晶振

ILSI晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低低消耗晶振對(duì)環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,產(chǎn)品同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).

ILSI晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),通過持續(xù)性的展開環(huán)保活動(dòng)來預(yù)防污染。在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動(dòng)的水平。

ILSI晶振通過與地區(qū)的交流及社會(huì)貢獻(xiàn)活動(dòng)，為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn)。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色小型SMD式3225晶振產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證.石英晶體振蕩器,SMD晶振,I738晶振

勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國(guó)及企業(yè)關(guān)注焦點(diǎn),如何做到‘降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生、確保有源貼片晶振工作場(chǎng)所安全、實(shí)施員工健康管理’一直是ILSI晶體努力的方向

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