頻率：10-245MHZ
尺寸：3.2*2.5mm
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
ILSI晶振,溫補晶振,I795晶振，3225mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.
隨著時間的推移，頻率值隨著晶振變化的大小，有年老化和日老化兩種指標。高精度恒溫晶振（OCXO）可以達到10-8 ppm/年。以上是選型時工程師應考慮的晶振參數，前5個參數一般就能選出相對應的石英晶振型號。其中最重要的指標是晶振頻率穩定度。所謂高端，就是晶振頻率穩定度非常好的晶振。隨著技術的發展，對高端晶振的需求會日益增加。我們的恒溫晶振（OCXO）頻率穩定性可以達到10-9級別。
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ILSI晶振 |
單位 |
晶振參數 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
10-245MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-50°C to +150°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100 µW Max |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF to 32pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +125°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源晶振設置一個規定的負載阻抗值。當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形。特別是設置電抗，根據規范的負載阻抗。金屬面晶振,高性能晶振,I795晶振
輸出頻率和輸出電平，當測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調整的輸入阻抗，測量儀器的負載阻抗石英晶體振蕩器。當輸入阻抗的測量儀器，不同的負載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。
機械處理
當貼片晶振發生外置撞擊時，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時，或者產品不小心跌落時，強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞，或者頻率不穩定現象。 不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器。金屬面晶振,高性能晶振,I795晶振
如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點。
ILSI晶振,溫補晶振,I795晶振
ILSI晶振集團運用ISO14001環境管理系統進行環境管理，盡最大可能減小業務活動對環境造成的負擔，并通過業務發展推進環境改善。
ILSI晶振遵守所有適用的有關環境、健康和安全的智能手機晶振法律和法規以及CTS晶振集團自己的有關環境、工業衛生和安全的方針和承諾。
與我們的員工一起開創并保持一個免于事故的工作場所。重視污染預防，消除偏離程序的行為強調通過員工努力這一最可行的方法持續改進我們經營活動的環境績效。
將持續的環境、健康和安全方面的改進、污染預防和員工的3225小體積振蕩器努力納入日常運行當中。加強污染防治，減少現有的污染廢棄物以及在未來生產制造中所產生的污染。金屬面晶振,高性能晶振,I795晶振
ILSI晶振集團為車載級晶體振蕩器確保安全、提高保護預防措施、產品的可靠性以及職業安全，確保職業健康與環境的優越性，通過正式的管理評審和對健康、安全和環境實施效果的持續改進，保護人群及財產與環境。
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