頻率：15.476~1300MHz
尺寸：5.0×7.0mm
VCXO是指這款晶體產品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能，產品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動調整頻率，使產品永遠控制在一定的頻率范圍，壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應用：SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用
IDT晶振,8N4DV85晶振,VCXO晶振,IDT晶振集團在RF、高性能定時、存儲接口、實時互聯、光互聯、無線電源及智能傳感器方面的市場導向型產品,是該公司一系列廣泛的通信、計算、消費、汽車和工業(yè)領域混合信號完整解決方案的一部分.IDT的設計、生產、銷售場所和經銷合作伙伴遍及全世界,主要生產晶振,石英晶振,有源晶振,溫補晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.
差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款有源晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍.
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項目 |
符號 |
8N4DV85晶振規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
15.476MHz to 1300MHz |
請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請聯系我們以了解更多相關信息 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯系我們查看更多資料http://www.0597lc.cn/ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
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待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
晶振使用注意事項
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內使用石英貼片晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 （請參閱“激勵功率”章節(jié)內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容）。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致壓電石英晶體振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電（請參閱“負載電容”章節(jié)內容）IDT晶振,8N4DV85晶振,VCXO晶振
IDT 晶振集團環(huán)保基本理念：
IDT 晶振集團采用系統的方法來解決其產品的環(huán)境影響
開發(fā)和銷售擁有最有利的環(huán)境特性同時又滿足最高可能功效標準的石英晶振,貼片晶振
采用對環(huán)境盡可能健康的生產工藝
在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料
為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運輸系統而工作
無論公司在世界何處,其經營都應保證生產過程和產品符合同等的環(huán)境標準
確保業(yè)務合作伙伴對環(huán)境問題同等關注
從事并參與環(huán)境領域的研究和開發(fā)活動
以公開和客觀的方式提供有關其環(huán)境影響的信息
IDT 晶振集團將建立可行的技術及經濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質量.
集團公司將關注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標準.
IDT 晶振集團將在各領域內的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等。IDT晶振,8N4DV85晶振,VCXO晶振
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