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微晶晶振,貼片晶振,MCSO2E晶振

頻率：3.6848-48.00MHz

尺寸：5.0*3.2mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

訂購熱線：0755-29952551

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微晶晶振,貼片晶振,MCSO2E晶振，此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點是該產(chǎn)品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現(xiàn)代SMT工藝帶來高速的工作效率,產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點,此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

石英晶振的切割設(shè)計：用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

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微晶晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	3.6848-48.00MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.0597lc.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年