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進(jìn)口溫補(bǔ)晶振大全,提供日本進(jìn)口溫補(bǔ)節(jié)能改造-歐美進(jìn)口溫補(bǔ)晶振!
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Vectron晶振,貼片晶振,TX-503晶振

頻率:8.0-50.0MHz

尺寸:9.5*14.4mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.


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LH-1

  維管晶振,貼片晶振,TX-503晶振溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

  貼片晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

LH-2

Vectron晶振規(guī)格

單位

晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

8.0-50.0MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C  +85°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C  +70°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
 ±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.0597lc.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C  +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年


LH-3

TX-503 9.5 x 14.4 1588 OSC

LH-4

電處理:

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度。

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略。

機(jī)械處理

當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。    不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。

如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保

在使用前檢查其特點(diǎn)。

LH-5

維管晶振環(huán)保方針:

1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).

2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.

3.有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.

4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器, 壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、石英晶振,貼片晶振材料的廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).

5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)石英晶振,貼片晶振環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).

6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

維管晶振,貼片晶振,TX-503晶振

LH-6

深圳市火運(yùn)電子有限公司

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相關(guān)的晶振產(chǎn)品

LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振
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LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振,日本NDK晶振NP2016SA型號的晶振是LV-PECL輸出的差分晶振。該晶振尺寸:2.0×1.6×0.7mm;電源電壓:+2.5V或+3.3V;低相位抖動(dòng) : Max. 100fs @156.25MHz;為無鉛產(chǎn)品。適用于數(shù)據(jù)中心,光模塊,DSP時(shí)鐘。差分晶振常用于高精度的時(shí)鐘應(yīng)用,如通信設(shè)備、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和精密儀器等。它的優(yōu)點(diǎn)包括低相位噪聲、低抖動(dòng)和高頻率穩(wěn)定性,能夠滿足一些對時(shí)鐘信號質(zhì)量要求較高的應(yīng)用場景。差分晶振可提供兩種相位彼此完全相反的信號,差分晶體振蕩器屬于行業(yè)里極其高端的有源晶振,擁有LVDS,LVPECL,HCMOS 等輸出方式,我們常見的是貼片差分晶振,體積有微小型也有大體積,常規(guī)的輸出方式是 LVDS,因此在業(yè)界中還有 LVDS 差分晶振這一說法,軍事設(shè)備與工業(yè)設(shè)備應(yīng)用比較比較多。
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