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康納溫菲爾德石英晶體振蕩器介紹,優(yōu)秀的Connor-winfield晶振公司憑借其50多年的歷史以及豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗和技術(shù)服務(wù),不斷的更新創(chuàng)造更具有價值的頻率控制產(chǎn)品。并通過自身的不懈的努力,打磨優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品,產(chǎn)品具有高精度,高頻率,高性能,小體積,高溫度,低抖動等特點,產(chǎn)品包含溫補晶振,壓控晶振,石英晶體振蕩器等產(chǎn)品。盡管引及了競爭性諧振器技術(shù),但與目前可用的任何其它頻率控制技術(shù)相比,基于石英的振蕩器在長期和短期穩(wěn)定性精度以及低抖動和低相位噪聲信號生成方面繼續(xù)提供最高水平的性能。
大多數(shù)IC帶有內(nèi)置有源晶體振蕩器電路采用Gated-Pierce設(shè)計,其中振蕩器是圍繞單個CMOS反相門構(gòu)建的。對于振蕩器的應(yīng)用這通常是一個單一的反相包括一個P通道和一個N通道的級增強型MOSFET,更常見在數(shù)字世界中,作為一個無緩沖逆變器(見圖。1) 。可以使用緩沖逆變器(通常包括三個串聯(lián)的P-N MOSFET對),但是數(shù)千的相關(guān)收益將導(dǎo)致可能不太穩(wěn)定的成品振蕩器。
一個實用的振蕩器電路如圖2所示包括所述未緩沖反相器、兩個電容器,兩個電阻器和石英晶體。了解如何該振蕩器工作CMOS反相門必須被視為具有增益、相位和傳播延遲約束,而不是作為邏輯設(shè)備使用1和0。康納溫菲爾德石英晶體振蕩器介紹
圖3顯示了直流傳輸特性(Vin與。Vout)和未緩沖的DC偏置點線HCMOS逆變器74HCU04。在3.3V和1M? 對于Rf,逆變器將與其輸入和輸出一起放置電壓約為1.65V。這種逆變器現(xiàn)在被認(rèn)為是在其線性區(qū)域中被偏置。輸入的微小變化電壓將被增益放大,并顯示為輸出電壓的變化較大。
圖4顯示了一組典型的開環(huán)增益曲線相同的74HCU04。在3.3V時,逆變器的增益為20(26 dBV)從DC到2MHz,具有3dB衰減頻率為8.5MHz,并且看起來仍然具有增益超過100MHz。
為了將這種偏置反相門用作振蕩器,它必須具有足夠的增益克服了反饋網(wǎng)絡(luò)的損耗(圖中的C1、C2、Rlim和石英晶體。2) ,振蕩頻率下的負(fù)電阻足以超過晶體等效串聯(lián)電阻,以及整個電路周圍的相移360度。人們很容易想到這種74HCU04逆變器可以用來制造工作頻率超過100MHz的振蕩器,因為它在3.3V時有足夠的增益,但實際上由于各種振蕩器環(huán)路周圍的相移。
該電路的分析很難概括,因為它非常依賴于家族所使用的CMOS門以及該特定CMOS家族的內(nèi)部構(gòu)造。全部的CMOS反相門具有輸入電容、輸出電容和輸出“電阻”和傳播延遲,所有這些都會影響C1、C2和Rlim的選擇如圖2所示,并最終確定OSC晶振的較高工作頻率。選擇偏置電阻器Rf通常在1M之間? 和10M?, 降低一個值將有效出現(xiàn)在水晶上,并可能導(dǎo)致水晶在雜散或泛音頻率。康納溫菲爾德石英晶體振蕩器介紹.
考慮一個ESR為15的20MHz晶體?, 3pF的C0,需要負(fù)載電容為20pF,晶體功耗約為100µW。
從20pF的期望負(fù)載電容開始,這可以近似為C1+柵極輸入電容(1至5pF是典型值)與C2串聯(lián)。C1的比率至C2將影響增益和晶體功率耗散。一個好的起點是C1≈C2。為了增加環(huán)路增益(并降低晶體功耗),使C1<C2。這對于負(fù)載電容為20pF,柵極具有~3pF的輸入電容。
瑞斯克石英晶體振蕩器說明書,隨著電子行業(yè)的產(chǎn)品越來越多元化,為了更好順應(yīng)市場的變化,Crystek公司利用自身的優(yōu)勢,針對目前振動器產(chǎn)品進(jìn)行深入研究與探索說明,并研發(fā)設(shè)計出極具有價值的石英晶體振蕩器,并因此吸引了廣泛用戶的關(guān)注,產(chǎn)品融合的高質(zhì)量低抖動低電壓的特點,可以滿足不同應(yīng)用程序的需求,同時也優(yōu)化相噪聲,又獲得極好的用戶體驗。
圖1中的皮爾斯門振蕩器得到了大多數(shù)設(shè)計師的認(rèn)可,但很少有人了解如何正確指定晶體。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用的晶體圖1可以是基本的AT-CUT或BT-CUT。BT-CUT晶體質(zhì)量差與AT-CUT相比,頻率隨溫度的穩(wěn)定性。此拓?fù)涫褂闷叫芯w而不是串聯(lián)晶體。當(dāng)指定平行晶體時,晶體制造商還將要求您指定負(fù)載電容。
要了解負(fù)載電容,請考慮串聯(lián)LC電路,其中晶體是L,負(fù)載電容是C。諧振LC電路的頻率將作為L和C的函數(shù)而變化在晶體情況下,L是固定的(溫度不是參數(shù))。瑞斯克石英晶體振蕩器說明書.
晶體數(shù)據(jù)表上的參數(shù)由負(fù)載電容是25°C時中心頻率的公差或校準(zhǔn)。如果有源晶體振蕩器電路設(shè)計不匹配負(fù)載電容值,則中心頻率將不在數(shù)據(jù)表的公差限制。有趣的是并聯(lián)晶體要求其電容負(fù)載有效串聯(lián)其端子。
那么,您的皮爾斯門振蕩器向結(jié)晶如圖2所示的一個簡單計算將告訴您。
圖2中大多數(shù)設(shè)計師忽略的最重要的事實是反相器門的內(nèi)部輸入和輸出電容。這些與外部(C1和C2)相比在值上是顯著的。如果Cin和Cout沒有指定,那么每個5 pF的猜測值是好的開始以后可以通過改變啟動來優(yōu)化電路C1和C2的值。所以,不要放棄你的主要寬容;計算您的振蕩器電容負(fù)載。
既然你知道了如何計算負(fù)載電容電路呈現(xiàn)給水晶,您應(yīng)該選擇什么負(fù)載電容?在回答這個問題之前,你需要知道晶體中心頻率對負(fù)載的靈敏度電容。這被稱為微調(diào)靈敏度S,由下式給出:
其中Cm是晶體的運動電容,
Co是晶體的分流電容,
Cload是負(fù)載電容。
從修剪靈敏度方程中,你可以看到,你制作的Cload越小,就越大微調(diào)靈敏度。換句話說,如果你正在設(shè)計一個固定頻率的時鐘,那么你選擇一個高的Cload值,比如20 pF。但是,如果你正在設(shè)計一個可變頻率振蕩器(VCXO)選擇諸如14pF的低Cload值。瑞斯克石英晶體振蕩器說明書.
最適合休眠技術(shù)應(yīng)用的32.768K振蕩器501BCAM032768DAF,6G晶振物料,伴隨著行業(yè)的變化莫測,作為一家新型的創(chuàng)新公司Silicon,致力于向廣泛應(yīng)用市場提供品質(zhì)過硬,具備創(chuàng)新型的產(chǎn)品,通過自身的努力,不斷更新自身的產(chǎn)品線,以求獲得超越市場的平均銷量,為了更好的發(fā)展以及突破自身現(xiàn)有的創(chuàng)新能力,開發(fā)高質(zhì)量的產(chǎn)品編碼501BCAM032768DAF,型號Si501,尺寸為2520mm,頻率為32.768KHZ,電壓為3.3V,支持輸出LVCMOS,頻率穩(wěn)定性20ppm,具備高性能低抖動低相位的特點,Si501/2/3 CMEMS可編程晶振系列提供基于mems的單片集成電路取代傳統(tǒng)晶體振蕩器。硅實驗室的CMEMS技術(shù)結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)的CMOS + MEMS在一個單一的,單片IC提供集成,高品質(zhì)和高可靠性的振蕩器。每個設(shè)備都經(jīng)過工廠測試并配置為保證性能的數(shù)據(jù)表規(guī)范跨越電壓、工藝、溫度、沖擊、振動和老化。
只有當(dāng)解決方案使用高精度、快速啟動的32.768kHz系統(tǒng)時鐘時,才能在休眠模式后重新建立超高速、省電的數(shù)據(jù)通信或全球定位。在基于休眠技術(shù)的電池供電解決方案中采用32.768KHZ硅振蕩器可以節(jié)省50%以上的功率。Silicon技術(shù)公司的專家解釋了原因32.768kHz硅振蕩器正在電池供電的休眠技術(shù)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位,以及它們?yōu)橛脩籼峁┝四男﹥?yōu)勢。
愛普生科普X1G0029210087抖動與相位噪音,專為6G無線模塊而生,愛普生是日系晶振品牌知名供應(yīng)商,致力于幫助廣大用戶提供完美的晶振解決方案,通過自身的努力,開發(fā)了大量優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品,同時也得到許多用戶的深度認(rèn)可,并與之建立親密的合作關(guān)系,耐心打磨優(yōu)質(zhì)有源晶體振蕩器編碼X1G0029210087,型號SG-210SCD,頻率為54MHZ,支持輸出CMOS,電壓為2.700 to3.600V,頻率穩(wěn)定性50ppm.工作溫度為-40 to 85 °C,產(chǎn)品特點:頻率范圍 : 50 MHz~80 MHz ,電源電壓 : 1.8 V Typ./ 2.5 V Typ. /3.3 V Typ. ,電流消耗 :7.0mA Max. (SDD2.5V無負(fù)載條件 80 MHz) ,功能 :待機 ( ST ) ,外部尺寸規(guī)格 :2.5×2.0×0.8mm,具備低電壓低相位高性能的特點,比較適合用于6G無線模塊,藍(lán)牙模塊,智能家居,測量測量等產(chǎn)品.
近年,伴隨影像傳輸?shù)绕占埃歉删W(wǎng)中流過的通信量有增無減,通信的高速、大容量化進(jìn)展迅速。在這種情況 下,高速化通信基礎(chǔ)設(shè)施對高頻且輸出信號穩(wěn)定的基準(zhǔn)信號源的需求十分強烈。抖動(Jitter)是評估輸出信號波 形穩(wěn)定性的指標(biāo)之一。英語的“Jitter”有神經(jīng)過敏、緊張不安或激動的意思。在表現(xiàn)高頻石英晶體振蕩器的穩(wěn)定度時, 指傳送數(shù)字信號時波形中產(chǎn)生的時間偏差和晃動。本次說明有關(guān)抖動和相位噪音的基礎(chǔ)知識.
ECS Inc. International’s ECS-TXO53-S3 is a new series of surface mount stratum 3 temperature compensated crystal oscillators. This family of TCXOs comes in a 5.0 mm 3.2 mm x 1.80 mm multi-pad ceramic package that offers a frequency stability of ±280ppb over the standard industrial operating temperature range of -40ºC to +85ºC. With the HCMOS output, multi-pad configurations and standard frequencies between 10 MHz and 52 MHz, the ECS-TXO53-S3 provides excellent phase noise performance. Ideal for femtocell, nanocell and instrumentation applications.
完美適合納米細(xì)胞的溫補晶體振蕩器ECS-TXO53-S3-33-500-BN-TR,ECS晶振國際公司的ECS-TXO53-S3是一種新型表面貼裝三層溫補晶體振蕩器系列。該系列tcxo采用5.0 mm 3.2 mm x 1.80 mm多襯墊陶瓷封裝,在-40ºC至+85ºC的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)工作溫度范圍內(nèi)提供±280ppb的頻率穩(wěn)定性。憑借HCMOS輸出,多襯墊配置和10 MHz至52 MHz之間的標(biāo)準(zhǔn)頻率,ECS-TXO53-S3提供了出色的相位噪聲性能。理想的家庭電池,納米電池和儀器應(yīng)用。
CTS公司通過自身信念,如今已是聞名天下的大企業(yè),推出的每一款產(chǎn)品備受市場的歡迎,這款TC70也不例外,編碼TC70L5C32K7680,極其受歡迎,這是一種低成本、小尺寸、工作頻率為32.768kHz的HCMOS時鐘振蕩器[XO]。7050晶振,采用集成電路技術(shù),提供低電流消耗,TC70提供了一個實時時鐘的優(yōu)秀參考穩(wěn)定性和低相位抖動性能。
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應(yīng)用需要kHz范圍內(nèi)的低頻晶體.一個常見的例子是32.768 kHz手(鐘)表晶體.但是大多數(shù)當(dāng)前的應(yīng)用需要更高頻率的晶體,范圍從小于10MHz到大于100MHz.2.頻率穩(wěn)定性和溫度范圍所需的頻率穩(wěn)定性由系統(tǒng)要求確定.振蕩器的穩(wěn)定性可簡單地表述為:由于某些原因引起的頻率變化除以中心頻率.即:穩(wěn)定性=頻率變化÷中心頻率例如,如果振蕩器輸出頻率為10MHz,并且隨溫度變化了10Hz,則其溫度穩(wěn)定性為:10/10,000,000=1x10-6=1ppm.晶振的典型穩(wěn)定性可以在100ppm至0.001ppm之間.
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石英晶體和陶瓷諧振器具有直接的壓電特性。這意味著外加電場會產(chǎn)生晶體變形。相反,晶體的變形會在兩端產(chǎn)生電壓。一旦振蕩器啟動,振動晶體端子上的電壓變化就被用作時鐘信號。
振蕩器背后的原理是一個正反饋回路滿足巴克豪森條件:如果閉環(huán)增益大于統(tǒng)一且總相位滯后為360°,所得到的閉環(huán)系統(tǒng)是不穩(wěn)定的,并且會自增強。這是必要的,但不是振蕩存在的充分條件。當(dāng)滿足必要條件時,振蕩器中的任何擾動(噪聲)都會發(fā)生變化導(dǎo)致振蕩開始。滿足巴克豪森條件的頻率被放大得最大,因為它與原始信號。Silicon發(fā)布振蕩器501JCA24M0000CAFR被廣泛使用于物聯(lián)網(wǎng),5G通信領(lǐng)域
單端時鐘緩沖器,我們的單端時鐘緩沖器產(chǎn)品組合涵蓋具有多達(dá)10個輸出的LVCMOS和LVTTL緩沖器。我們支持從1.2V到3.3V的各種電源,以及用于選定部件的工業(yè)級和汽車級電源。它們的低附加抖動和低偏斜特性使其成為具有苛刻性能要求的時鐘分配應(yīng)用的理想選擇。
PI49FCT2080X是2.5V、高速、低噪聲、同相時鐘緩沖器。差分晶振,它旨在針對需要低偏差、低抖動和高頻時鐘分布的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。編碼PI49FCT20802QE,PI49FCT20803LE,它提供低至150ps的輸出到輸出偏移,是同步系統(tǒng)的理想時鐘分配設(shè)備。PI49FCT2080x是來自單個輸入的時鐘緩沖器,它在PI49FCT20802上產(chǎn)生五個輸出,在PI49FCT20803上產(chǎn)生七個輸出。PI49FCT2080x的工作溫度范圍為–40°C至85°C。
The ClearClock™ series expands its offering with the new AX5 XO in a 5x3.2mm footprint for next generation networking and RF applications. This series leads the industry in low power consumption while maintaining typical jitter of 125fs, ideal for clocking serial data links beyond 56Gbps. The AX5 offers a smaller package size required by next generation storage and cloud computing applications, but with the same performance capabilities as the 5x7mm AX7.
The AX7 series is optimized for superior rms jitter performance (119 typ), while consuming 130mW.
The AX7 series features the widest factory configurable frequency range from 50MHz to 2.1GHz in its performance class. Other factory configurable options include supply voltage of 3.3V, 2.5V, or 1.8V with operating temperatures ranging from -20°C to +70°C or -40°C to +85°C with either ±50ppm or ±100ppm all-inclusive frequency stability.
ClearClock™系列通過5x3.2mm封裝的新型 AX5 XO時鐘晶體振蕩器擴展了其產(chǎn)品范圍,適用于下一代網(wǎng)絡(luò)和射頻應(yīng)用。該系列在低功耗方面處于行業(yè)領(lǐng)先地位,同時保持125fs的典型抖動,非常適合為超過56Gbps的串行數(shù)據(jù)鏈路提供時鐘。AX5提供下一代存儲和云計算應(yīng)用所需的更小封裝尺寸,但具有與 5x7mm AX7相同的性能。ASTX-H12-16.000MHZ-I25-T溫度補償晶體振蕩器又是一款環(huán)保晶振,以HCMOS為輸出方式
Golledge晶振服務(wù)以最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品對細(xì)節(jié)的一絲不茍的關(guān)注而聞名,是我們業(yè)務(wù)的核心。我們非常自豪能夠提供具有尖端技術(shù)規(guī)格的產(chǎn)品,并結(jié)合我們核心總部團(tuán)隊和全球分銷商網(wǎng)絡(luò)提供的最優(yōu)質(zhì)服務(wù)。
Golledge宣布推出CC6A-T1AH,-55+200°C用于極端環(huán)境的微型SMD無源晶體
適用于航空電子設(shè)備、井下、地?zé)岬?br /> 極端溫度范圍高達(dá) 200°C超低 MSL