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頻率：50~230MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
EPSON晶振,有源晶振,SG-770SDD晶振,X1G0023610004晶振,貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品7050晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無完人,史前無例,實(shí)現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)把半導(dǎo)體（IC）稱之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認(rèn)為石英晶體元器件更是離不開的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開拓廣闊前景. 愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)的晶振元器件已以23%的市場(chǎng)占有率位于業(yè)界第一.
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型號(hào) |
SG-770SDD晶振 |
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輸出頻率范圍 |
50~230MHZ |
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電源電壓（Vcc） |
+2.5V |
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消耗電流 |
+90mA max. |
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驅(qū)動(dòng)輸出 |
LV-PECL |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//15pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.（VCC ±5%） |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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愛普生有源石英貼片振蕩器型號(hào)列表:
愛普生有源石英貼片振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-770SCD
133.333300 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-770SCD
75.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-770SCD
98.304000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-770SCD
200.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-770SDD
155.520000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-770SDD
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-770SDD
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-770SDD
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0023510130
SG-770SCD
133.333300 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0023510131
SG-770SCD
75.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0023510132
SG-770SCD
98.304000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0023510808
SG-770SCD
200.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0023610004
SG-770SDD
155.520000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0023610007
SG-770SDD
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0023610008
SG-770SDD
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0023610012
SG-770SDD
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.80 mm
LV-PECL
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 90.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保進(jìn)口晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。EPSON晶振,有源晶振,SG-770SDD晶振,X1G0023610004晶振
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存貼片晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至有源晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
愛普生晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過有效利用森林、能源以及其它資源,減少愛普生進(jìn)口晶振各種形式的廢物來實(shí)現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo). EPSON晶振,有源晶振,SG-770SDD晶振,X1G0023610004晶振
愛普生晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、有源石英晶振,有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架：建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響；持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績(jī)效和環(huán)境管理體系的承諾；
減少7050m有源晶振污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾；依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾；“減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園；依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評(píng)審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.
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